由于物聯網顯著增加了捕獲某種數據的端點數（2017年付運約20億臺設備，比2015年增長54%），因此需要大量的存儲器來處理和存儲數據。為此，正在構建大型服務器機群，這些機群將消耗大量電力。電源轉換將產生熱量，終將會有損耗。這種發熱如此之大，以至于導致冷卻成本是運行服務器機群的主要成本之一。這導致PSU制造商不斷尋求構建更高能效的PSU。此外，為了以更佳的能效降低冷卻成本，需要減小PSU的尺寸，從而使更多的服務器可以安裝在相同的空間中。
為此，安森美半導體提供高性能分立方案，以成功地實現云電源市場的高能效目標。相較上一代超級結器件，新的高能效的分立650 V SuperFETIII MOSFET系列使云電源能夠達到這更高的能效。SuperFETIII技術提供三種不同的版本：易驅動版本(Easy Drive)、快恢復版本(FRFET)和快速版本(FAST)。應用和拓撲結構將決定應該使用哪個版本來獲得最佳的能效。
針對次級端，安森美半導體提供全系列中、低壓MOSFET，這些MOSFET已針對云電源進行了優化。T6技術為30V、40V和60V提供業界最低的RDSon。新的T8技術為25V、40V、60V和80V提供與T6相同的超低RDSon，同時進一步改善了開關參數。對于80 V、100 V和120 V，采用PTNG技術，提供出色的RDSon和體二極管性能。隨著制造商挑戰更高能效和強固性，他們開發出像安森美半導體的650及1200 V碳化硅(SiC)二極管這樣的器件，用于功率因數校正(PFC)級。
隨著基于云的物聯網的急劇增加，云由最高能效的電源供電很重要。安森美半導體正盡己所能，提供25V至650 V的領先行業的MOSFET，并開發下一代半導體SiC。
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